Michael geiselmann icforex

Michael Geiselmann 2017-presente Postdoc na EPFL (Suíça) 2009-2017 Doutor em Óptica no ICFO - O Instituto de Ciências Fotônicas em Barcelona (Espanha) - Dissertação de Teses sobre 8220All Controle Óptico de um centro de vacância de azoto em um nano-diamante8221 2003-2008 Estudo de Física na Universidade de Stuttgart (Alemanha) e Engenharia Geral na Ecole Centrale Paris (França) - Diplomarbeit na Espectroscopia Ultra-Rápida em Metamateriais Publicações: 8220Determinista Optical-Near-Field-Assisted Posicionamento de Nitrogênio-Vaga Centers8221 Nano Letters 14, 1520 (2017) ) 8220 Modulação óptica rápida da fluorescência a partir de um único centro de vazio de nitrogênio 8221 Nature Physics 9, 785 (2017) 8220A manipulação óptica tridimensional de um único spin de elétrons8221 Nature Nanotechnology 8, 175 (2017) 8220Tailoring da dinâmica Ultrafast do modo magnético em cristais fotônicos magnéticos8221 Phys. Rev. B 81, 235101 (2018) Tópico de pesquisa atual. Post-doc no LPQM que trabalha na ótica SiNJohann Michael (Geiselmann) Geiselman Sr. (1719 - 1785) Hanss Michel nasceu antes de 1719. Hanss Michel Geiselmann. 1 Este perfil é um trabalho em andamento colaborativo. Você pode contribuir com informações ou fontes Fontes Informações de primeira mão como lembrado por Chris Keener. Sábado, 24 de janeiro de 2017. Substitua esta citação se houver outra fonte. Adicione fontes aqui. Não tenho certeza se Vitus Gelssman (Gelssman-1) é o pai ou não. A maioria das informações que eu vi não mostra pai para Johann Michael Geiselman. Biografia Esta biografia foi auto-gerada por uma importação GEDCOM. 2 É um rascunho e precisa ser editado. Nascimento Nascimento: Data: 15 de agosto de 1719 Nascimento: Data: 15 de agosto de 1719 Local: Alemanha Encontradas cópias múltiplas de BIRT DATE. Usando August 15, 1719 Morte Morte: Data: 1785 Morte: Data: 23 JUN 1784 Encontrou cópias múltiplas de DEAT DATE. Utilização 1785Array ID do Utilizador ID do Utilizador: 5475082278CD540DEDC85DE6D8DC3A08 ID do Utilizador: 5470038F29DEE73EDDC85DE6D8DC3F48 ID do Utilizador: 6BB512CF0D031249B5E9D519DDC6B6E43564 Batismo Batismo: Data: 16 DEZ 1719 Local: Laden, Karlsruhe, Laugen Bruecken Alemanha (Católica) Enterro: Local: Friedensaal Lutheran Cem, Springfield Twp. York Co. Pa. Nota: Imigrante em 1738. Residiu em Seven Valleys, York, Co. Pa. Era um agricultor. Foi casado primeiramente com Catherine REIN b. 2 Dez. 1716 e tiveram uma criança Maria Margaret (b 8 Nov 1743) quem se casou Lorentz KLEINFELDER. Catherine Rein era filha de Hanns Martin Rein (11 de março de 1690, 30 de junho de 1716, 7 de março de 1750) e Magdalena Frey (b 10 de abril de 1689, 27 de fevereiro de 1754). Com a 2ª esposa, Margaretha Wilhelmina Frinsch, teve 14 filhos. Michael Jr foi o 9º. RIN: MH: N44 Nota: Imigrante em 1738. Residiu em Seven Valleys, York, Co. Pa. Era um agricultor. Foi casado primeiramente com Catherine REIN b. 2 Dez. 1716 e tiveram uma criança Maria Margaret (b 8 Nov 1743) quem se casou Lorentz KLEINFELDER. Catherine Rein era filha de Hanns Martin Rein (11 de março de 1690, 30 de junho de 1716, 7 de março de 1750) e Magdalena Frey (b 10 de abril de 1689, 27 de fevereiro de 1754). Com a 2ª esposa, Margaretha Wilhelmina Frinsch, teve 14 filhos. Michael Jr foi o 9º. RIN: MH: N241 Nota: Imigrante em 1738. Residiu em Seven Valleys, York, Co. Pa. Era um agricultor. Foi casado primeiramente com Catherine REIN b. 2 Dez. 1716 e tiveram uma criança Maria Margaret (b 8 Nov 1743) quem se casou Lorentz KLEINFELDER. Catherine Rein era filha de Hanns Martin Rein (11 de março de 1690, 30 de junho de 1716, 7 de março de 1750) e Magdalena Frey (b 10 de abril de 1689, 27 de fevereiro de 1754). Com a 2ª esposa, Margaretha Wilhelmina Frinsch, teve 14 filhos. Michael Jr foi o 9º. RIN: MH: N377 Fontes Informação de primeira mão lembrada por Chris Keener. Sábado, 24 de janeiro de 2017. Substitua esta citação se houver outra fonte. Geiselman-32 foi criado por Chris Keener através da importação da árvore genealógica de Christopher Keener (2).ged em 7 de janeiro de 2017. Este comentário e citação podem ser suprimidos depois que a biografia foi editada e as fontes preliminares são incluídas. Busca Procurando por alguém Você tem um Login GEDCOM para procurar todos os nomes na sua árvore pesquisada. É grátis (como tudo no WikiTree). Você fez um teste de DNA para a genealogia Se assim for, faça o login para adicioná-lo. Se não, veja nossos amigos no DNA da Árvore Genealógica. Colaboração Entrar para editar este perfil. Mensagens Privadas: Envie uma mensagem privada para o Gerenciador de Perfis. (Melhor quando a privacidade é um problema.) Comentários do público: Login para postar. (Melhor para mensagens dirigidas especificamente para aqueles que estão editando este perfil. Limite de 20 por dia.) QampA Pública: Estes aparecerão acima e no Genealogist-to-Genealogist (G2G) Fórum. (Melhor para qualquer coisa dirigida à comunidade genealogy mais larga.) Não existem comentários públicos ainda. Johann Michael é 22 graus de Kevin Bacon, 30 graus de Leonard Cohen, 29 graus de Bob Dylan, 22 graus de AJ Jacobs e 23 graus da Rainha Elizabeth II dos Commonwealth Realms em nossa única árvore genealógica. Faça login para encontrar sua conexão. AVISO IMPORTANTE SOBRE AVISO DE PRIVACIDADE: VOCÊ TEM A RESPONSABILIDADE DE USAR CUIDADO AO DISTRIBUIR INFORMAÇÕES PRIVADAS. A WIKITREE PROTEGE AS INFORMAÇÕES MAIS SENSÍVEIS, MAS SOMENTE NA EXTENSÃO DESCRITADA NOS TERMOS DE SERVIÇO E POLÍTICA DE PRIVACIDADE. Copy 2008 - 2017 INTERESSANTE, INC. CONTEÚDO PODE SER COPYRIGHTED POR WIKITREE MEMBROS COMUNITÁRIOS. Liens daccessibilit Navigation gnrale EPFL Escritório de pesquisa REO Física de Solição em micro-ressonadores SiN para aplicações de pente de freqüência Michael Geiselmann copyMichelle Cherance Acoplando luz de um único laser de freqüência Para um ressonador de tamanho micrométrico (microrressonador) fabricado a partir de um material altamente não linear, podem ser geradas várias novas linhas de laser. Quando estas linhas de laser são equidistantes em frequência constituem um pente de frequência. Microresonator pentes de freqüência baseados são de especial interesse para a metrologia, espectroscopia, telecomunicações e aplicações de laser devido ao seu maior espaçamento de freqüência entre duas linhas de pente, em comparação com fibra comercialmente disponíveis baseado pentes de freqüência. Na EPFL desenvolvemos e fabricamos microresonadores de nitreto de silício baseados em chip planar em wafers de silício, o que torna o processo escalável em volume e preço. Para este projeto estamos conduzindo a plataforma desenvolvida para aplicações. Para isso devemos primeiro aprofundar nossa compreensão da formação de pulsos (solitons) no ressonador que constitui o pente de freqüência. Estes pentes de freqüência podem então ser usados ​​para criar osciladores de microondas de baixo ruído, amplamente utilizados no tempo e na navegação. Além disso, os pentes de frequência microrresonadores oferecem uma elevada taxa de repetição (vídeo) a alta resolução útil para aplicações de espectroscopia e calibrações. Nós nos esforçamos para mostrar in-situ espectroscopia perto do infravermelho e construir um dispositivo para calibrar espectroscopes astrofísicos em busca de exoplanetas com maior precisão. (Data de início da bolsa: 1 de julho de 2017) Chip fotônico com vários microreonadores de nitreto de silício que podem converter uma única freqüência em um pente de freqüência. CopyVictor Brasch ndash EPFL